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漫談光通信·芯片卷

光通信作為一個(gè)新興產(chǎn)業(yè),逐漸成為現(xiàn)代通信的主要支柱之一。本書采用通俗詼諧的語言,采用大量創(chuàng)意插圖,深入淺出地向讀者介紹光通信領(lǐng)域中光芯片相關(guān)理論及其技術(shù)知識(shí),同時(shí)對(duì)光芯片及相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用、市場(chǎng)、歷史、發(fā)展等進(jìn)行了多角度解讀。...

  • ISBN:978-7-5478-6035-9
  • 作者:匡國(guó)華 著
  • 定價(jià):¥98 元
  • 出版時(shí)間:2023-01-01
  • 版次:01
  • 印次:01
  • 裝幀:
  • 紙張:
  • 開本:16
  • 字?jǐn)?shù):
  • 頁數(shù):

      光通信作為一個(gè)新興產(chǎn)業(yè),逐漸成為現(xiàn)代通信的主要支柱之一。本書采用通俗詼諧的語言,采用大量創(chuàng)意插圖,深入淺出地向讀者介紹光通信領(lǐng)域中光芯片相關(guān)理論及其技術(shù)知識(shí),同時(shí)對(duì)光芯片及相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用、市場(chǎng)、歷史、發(fā)展等進(jìn)行了多角度解讀。

 

目  錄

 

半導(dǎo)體激光器激光器2

激光器小信號(hào)頻響24

DFB激光器等效電路模型26

FP,DFB,DBR的區(qū)別30

【5G光模塊】——FP激光器的模式分配噪聲35

DFB雙峰對(duì)光通信系統(tǒng)的影響37

DFB激光器雙峰40

DFB直調(diào)激光器的發(fā)展方向41

相干光模塊中的窄線寬激光器46

用于突發(fā)模式下一代PON的MEL激光器雙電級(jí)DFB47

非制冷DWDM激光器50

FP和DBR的區(qū)別53

DFB的發(fā)展史58

DFB的光柵60

雙腔DFB激光器62

區(qū)分FP,DFB,DML,EML,VCSEL65

激光器發(fā)散角優(yōu)化結(jié)構(gòu)69

為什么激光器的BH結(jié)構(gòu)需要多次外延71

背光74

為什么不能“輕易”把GPON ONU的DFB激光器換成

便宜的FP76

區(qū)分DFB,DML,EML80DBR激光器82

DFB激光器的增益耦合光柵與折射率耦合光柵83

多縱模激光器的傳輸距離87

單縱模激光器的傳輸距離89

FP與DFB的波長(zhǎng)溫度漂移91

區(qū)分電光效應(yīng)、光電效應(yīng)與電致發(fā)光效應(yīng)94

相干通信歷程、可調(diào)諧光源標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展史97

可調(diào)諧激光器102

外腔激光器104

 

DML的啁啾與補(bǔ)償激光器的啁啾、展寬與色散108

啁啾110

直調(diào)激光器啁啾管理的幾個(gè)方案113

啁啾光柵與色散補(bǔ)償115

利用微環(huán)做DML的啁啾管理117

直調(diào)激光器的傳輸并不是距離越長(zhǎng)TDP就一定越大121

PT對(duì)稱光柵122

Avago的高速VCSEL124

MEMS VCSEL128

比VCSEL小100倍的BICSEL130

Finisar VCSEL 用OM4光纖可傳輸2.3km的56Gb/s

PAM4信號(hào)134

超薄激光器135

 

鈮酸鋰調(diào)制器電光調(diào)制器140

鈮酸鋰調(diào)制器141

為何鈮酸鋰調(diào)制器那么長(zhǎng)146

鈮酸鋰薄膜制備148

 

電吸收調(diào)制器EAM電吸收調(diào)制器等效模型154

為何探測(cè)器和電吸收調(diào)制器,加反電壓,而不是正電壓157

電吸收調(diào)制器的吸收波長(zhǎng)紅移159

非制冷單波100Gb/s EML164

EML更容易實(shí)現(xiàn)更大的消光比167

電吸收調(diào)制激光器EML169

為什么EML要加一個(gè)TEC171

 

調(diào)制器熱光調(diào)制176

PN結(jié)載流子耗盡型硅基調(diào)制器178

光調(diào)制器的載流子耗盡型與注入型的區(qū)別181

 

光探測(cè)器探測(cè)器186

探測(cè)器響應(yīng)度與光模塊靈敏度之間的關(guān)系196

幾種探測(cè)器的結(jié)構(gòu)198

垂直型與波導(dǎo)型PIN202

平衡探測(cè)器204

探測(cè)器速率與結(jié)電容207

探測(cè)器結(jié)構(gòu)與響應(yīng)度、靈敏度211

探測(cè)器材料與截止波長(zhǎng)214

探測(cè)器材料之Si,GeSi,GaAs217

探測(cè)器響應(yīng)度下降原因218APD的蓋革模式220

APD蓋革模式的應(yīng)用223

光電二極管臺(tái)面結(jié)構(gòu)225

 

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